SI8424DB-T1-E1 [VISHAY] 
                    
N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET; N溝道1.2 -V （G -S ）的MOSFET

                    

                    
 

                    
  
                    SI8424DB-T1-E1
                    
  
                    
    
                    
    
      
                    
       
       
    
                    
    
                    
      元器件型號：
       SI8424DB-T1-E1
    
                     
                    
      生產廠家：
      VISHAY TELEFUNKEN
	    VISHAY TELEFUNKEN
      
    
                    
    
                    
      描述和應用：
      
                    N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
                    N溝道1.2 -V （G -S ）的MOSFET
                     晶體 晶體管 功率場效應晶體管 脈沖                    		
    
                    
    
                    
      PDF文件：
      總11頁 (文件大?。?10K)
    
                    
    
     
                    
      下載文檔：
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      型號參數：SI8424DB-T1-E1參數
      
                    
  
                    是否無鉛  不含鉛
                    是否Rohs認證  符合
                    生命周期Obsolete
                    包裝說明GRID ARRAY, S-PBGA-X4
                    針數4
                    Reach Compliance Codeunknown
                    ECCN代碼EAR99
                    風險等級8.53
                    Is SamacsysN
                    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
                    最小漏源擊穿電壓8 V
                    最大漏極電流 (Abs) (ID)12.2 A
                    最大漏極電流 (ID)8.1 A
                    最大漏源導通電阻0.077  Ω
                    FET 技術METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
                    JESD-30 代碼S-PBGA-X4
                    JESD-609代碼e3
                    濕度敏感等級1
                    元件數量1
                    端子數量4
                    工作模式ENHANCEMENT MODE
                    最高工作溫度150  °C
                    封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
                    封裝形狀SQUARE
                    封裝形式GRID ARRAY
                    峰值回流溫度（攝氏度）260
                    極性/信道類型N-CHANNEL
                    最大功率耗散 (Abs)6.25 W
                    最大脈沖漏極電流 (IDM)20 A
                    認證狀態Not Qualified
                    子類別FET General Purpose Power
                    表面貼裝YES
                    端子面層Matte Tin (Sn)
                    端子形式UNSPECIFIED
                    端子位置BOTTOM
                    處于峰值回流溫度下的最長時間40
                    晶體管元件材料SILICON
                    Base Number Matches1
                    
                        

                    

  
  
                    

                    


                    


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